JEOL JXA-8530FPLUS Feldemissions Elektronenstrahl-Mikrosonde

JEOL JXA-8530FPLUS
Feldemissions Elektronen­strahl-Mikrosonde

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JEOL JXA-8530FPLUS Feldemissions Elektronen­strahl-Mikrosonde

Die JEOL Mikrosonde JXA-8530FPlus ist bereits die dritte Generation der erfolgreichen Elektronenstrahl-Mikrosonden-Serie mit patentierter In-Lens- Feldemissionsquelle. Die Weiterentwicklungen und Verbesserungen speziell an der elektronenoptischen Säule bieten insbesondere im Hinblick auf die analytischen und abbildenden Eigenschaften des Systems große Vorteile. Ebenso wird in Kombination mit einer optimierten Software ein noch größerer Probendurchsatz erzielt. Die neue JXA-8530F PLUS Mikrosonde erfüllt darüber hinaus eine Vielzahl von Anforderungen unterschiedlichster Anwender und ermöglicht so einen größeren und flexibleren Anwendungsbereich bei höchster Auflösung und größtmöglicher Stabilität.

Merkmale

  1. Patentierte In-lens Schottky FEG
    Die von JEOL patentierte In-Lens Schottky Plus FEG an der JXA-8530F Plus bietet eine optimierte Strahlstromdichte, welche die Analyse mit variabel und kontinuierlich einstellbaren Sondenströmen von 1 nA bis zu >2 μA ermöglicht. Die garantierte Auflösung im Sekundärelektronenbild wird selbst unter analytischen Bedingungen durch automatische Einstellung des korrekten Konvergenzwinkels verbessert.

  2. Erweiterte Software
    Eine Vielzahl von weiterentwickelten Anwendungssystemen sind für diese Mikrosonde verfügbar.

    Hierzu zählen:
    a) Die optimierte Analyse von Spurenelementen einschließlich der Erhebung von Daten aus bis zu 5 Spektrometern.
    b) Die automatische Erstellung von Phasendiagrammen auf der Grundlage von Hauptkomponenten.
    c) Die automatisierte WDS-Analyse von Proben mit Oberflächenunregelmäßigkeiten.

  3. Variable Konfiguration der WDS-Spektrometer
    Verschiedene WDS-Röntgenspektrometer (2 Kristall- oder 4 Kristallspektrometer, Spektrometer optimiert für die Spurenelementanalytik oder für besonders hohe Zählraten) sowie eine große Auswahl an verschiedenen Analysekristallen stehen zur Verfügung.

  4. Kombiniertes WDS/EDS-System
    Die JEOL Mikrosonde JXA-8530F Plus ist mit einem 30-mm²-Silizium-Drift-Detektor (SDD) EDX-System ausgestattet. Das JEOL-EDX System ist durch eine variable Aperturblende speziell auf die Auswertung von hohen Zählraten ausgelegt. Dies ermöglicht EDS-Analysen unter WDS-Bedingungen. Zudem können die EDS- und WDS-Daten kombiniert werden.

  5. Vielseitige Probenkammer
    Die JXA-8530F Plus ist mit einer vielseitigen Probenkammer und Probenschleuse ausgestattet. Dadurch können eine Vielzahl von optionalen Erweiterungen integriert werden.

    Diese beinhalten beispielsweise:
    • Electron Backscatter Diffraction System (EBSD)
    • Kathodolumineszenz-Detektoren (panchromatisch, monochromatisch, hyperspektral)
    • Soft X-ray Emission Spectrometer
    • Luft-isolierter Transfer-Behälter
    • Ionenquelle für hohen Abtrag

  6. Leistungsstarkes automatisches Vakuumsystem
    In der JXA-8530F Plus kommt ein leistungsstarkes Vakuumsystem zum Einsatz, welches aus Vorpumpen und Hauptpumpen besteht. Als Hauptpumpensystem kommen zwei Turbomolekularpumpen zum Einsatz. Zusätzlich ist für die elektronenoptische Säule eine zweistufige Zwischenkammer vorgesehen, wodurch das Vakuumlevel in der Säule und auch im Emitterbereich optimiert wird.

  7. Soft X-ray Emission Spectrometer (SXES)
    Bereits mehrfach im Einsatz befindet sich das von JEOL entwickelte Ultrahochauflösungs-Röntgenemissionsspektrometer (SXES-Spektrometer). Das System erlaubt die simultane Detektion von Röntgenstrahlung (ähnlich EDS) mit sehr hoher Energieauflösung und ermöglicht neben der Detektion von Li-K- und B-K-Spektren auch die Unterscheidung von Bindungszuständen (chemical shift).

  8. miXcroscopy (Korrelative Mikroskopie)
    Interessante Probenstellen lassen sich teilweise mit einem Lichtmikroskop besser oder einfacher erkennen. Das miXcroscopy-Verfahren ermöglicht hierbei einen Datentransfer aus dem Lichtmikroskop direkt an die Mikrosonde. Somit können Probenbereiche leicht und schnell wiedergefunden werden.

Spezifikationen

Elektronenoptik

Elementar­analyse­bereich

WDS: (Be) B bis U, EDS: B bis U

Röntgen­spektrometrie­bereich

WDS-Spektrometrie­bereich: 0.087 bis 9.3 nm
EDS-Energiebereich: 20 keV

Anzahl Röntgen­spektrometer

WDS: 1 bis 5 auswählbar, EDS: 1

Maximale Probengröße

100 mm × 100 mm × 50 mm (H)

Beschleunigungs­spannung

1 bis 30 kV (0.1 kV Schritte)

Proben­strahl­stabilität

± 0.3%/h

Sekundär­elektronen­bildauf­lösung

3 nm bei WD 11 mm, 30 kV
20 nm bei 10 kV, 10 nA, WD 11 mm
50 nm bei 10 kV, 100 nA, WD 11 mm

Vergrößerung

x40 bis x300000 (WD 11mm)

Bildauf­lösung in Pixel

Bis zu 5120 x 3840

Bitte beachten Sie:

Technische Änderungen und Irrtümer vorbehalten. Alle im Text aufgeführten Markennamen sind eingetragene Warenzeichen der Hersteller.

 

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