• Hochleistungssystem für die Maskenbelichtung bis zu 32 nm Strukturgröße.
• LaB6-Kathode mit Formstrahlelektronenoptik (shaped beam).
• Schreibfeld 150 mm x 150 mm
Spezifikationen
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Elektronenquelle |
LaB6-Emitter |
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Beschleunigungsspannung |
50 kV |
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Max. Strahldurchmesser |
< 1 µ x 1 µ |
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Substratgröße |
150 mm |
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Strahlform |
variabel |
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Ablenkung |
Vector scan |
| Technische Änderungen und Irrtümer vorbehalten. Alle im Text aufgeführten Markennamen sind eingetragene Warenzeichen der Hersteller. |
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