Das JEOL JSM-7700F ist das weltweite erste und einzige kommerziell verfügbare, aberrationskorrigierte Raster-Elektronenmikroskop. Das mit einer neu entwickelten, ungeheizten Feldemissionsquelle ausgestattete REM ist optimiert für ultrahohe Auflösungen bei kleinen Beschleunigungsspannungen. Das speziell für das JSM-7700F entwickelte Multipol-Korrektorlinsensystem korrigiert dabei computergesteuert die die Auflösung begrenzenden Linsenfehler der Objektivlinse.
Das JSM-7700F verfügt darüberhinaus über die patentierte Gentle Beam™ Methode für extrem hohe Auflösungen bei Beschleunigungsspannungen ab 0.1 kV. Durch die geringe Eindringtiefe des Elektronenstrahls ist bei diesen Energien die Beobachtung echter Oberflächenstrukturen ohne Aufladungseffekte möglich.
Die Ausstattung des JSM-7700F wird komplettiert durch den JEOL r-Filter 2. Generation für die variable Filterung der von der Probe emittierten Sekundär– und Rückstreuelektronen. Damit kann der Probenkontrast zwischen Oberflächenmorphologie und Komposition variiert werden.
Merkmale
• automatisch gesteuertes Korrektorlinsensystem zur Korrektur der sphärischen (Cs)
und der chromatischen (Cc) Aberration der Objektivlinse
• Gentle Beam™ System für hochauflösende Abbildung bei extrem
niedrigen Anregungsspannungen
• r-Filter System der 2. Generation zur Sekundärelektronen-Energiefilterung
• serienmäßige Probenschleuse für schnellen und sauberen Probenwechsel
• neu entwickelte, intuitiv einfach zu bedienende graphische Benutzeroberfläche
• LN2-freie Kühlfalle
• Euzentrisches, side-entry Probengoniometer mit einer maximale Probengröße von
5 x 18 x 5 mm Höhe oder 5 x 25 x 4 mm Höhe
• Piezoelemente für die x/y-Bewegung erlauben eine präzise und stabile
Probenbewegung im Nanometerbereich
• REM-Bedienung über Bedienpult und Maus
Spezifikationen
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Elektronenoptik |
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Elektronenquelle |
Feldemission (CFEG) |
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Objektivlinse |
Cs/Cc-korrigiertes semi-in-lens-System |
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Beschleunigungsspannung |
0.1 kV bis 30 kV |
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SE-Detektion |
in-lens-Detektor mit Energiefilterung |
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Auflösung im SE-Bild |
0.7 nm bei 1 kV, 0.6 nm bei 5 kV |
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Vergrößerungsbereich |
25x bis 2.000.000x |
Optionen (Auswahl)
• in-lens Rückstreuelektronendetektor
• EDX-System
• STEM-Detektor
| Technische Änderungen und Irrtümer vorbehalten. Alle im Text aufgeführten Markennamen sind eingetragene Warenzeichen der Hersteller. |
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