Das von Grund auf neu designte Präparationssystem JIB-PS500i mit fokussiertem Gallium-Ionenstrahl (FIB) ermöglicht in noch nie dagewesener Einfachheit die Herstellung, höchstauflösende Abbildung und Analyse dünner TEM-Lamellen und Querschnitte. Grundlage bildet eine große, leicht zugängliche Probenkammer, die den Einbau sehr großer Proben erlaubt und gleichermaßen das Kippen von Proben auf über 90° ermöglicht. So können TEM-Proben einfach präpariert und direkt im STEM-Betrieb abgebildet und analysiert werden. Zu diesem Zweck wurden sowohl die Objektivlinse als auch die Detektoren für höchste Auflösung weiterentwickelt. Darüber hinaus wurden die JEOL-EDX-Detektoren in die neue, von JEOL-Rasterelektronenmikroskopen bekannte Nutzeroberfläche integriert, um möglichst effiziente und einfache Arbeitsabläufe zu ermöglichen. Auch die neue STEMPLING2-Lamellenpräparation zielt auf hohen Durchsatz und einfaches Handling ab: Zusammen mit dem vollintegrierten OmniProbe-Werkzeug (Oxford Instruments) können so automatisch zahlreiche Lamellen in Serie produziert werden.
Für schnelle Arbeitabläufe stehen zudem eine Gallium-Quelle mit hohem Probenstrom (bis 100nA) für maximale Abtragsraten und die bewährte In-Lens-Schottky-FEG (bis 500nA) für großflächige, schnelle Elementanalysen zur Verfügung.
Auch in puncto Bedienbarkeit setzt das FIB-System neue Maßstäbe. Die AVERT-Engine bietet Anwendern jederzeit ein 3D-Modell des Innenlebens der Kammer – dies ermöglicht maximalen Überblick und Sicherheit beim Arbeiten. Besitzer eines JEOL TEMs profitieren darüber hinaus vom neuen „TEM-Linkage“-System: Ein Doppel-Kipp-Steckaufsatz kann sowohl auf einen FIB-REM-Halter als auch auf einen TEM-Halter aufgesteckt werden. So können Lamellen nicht nur in beiden Mikroskopen in Transmission untersucht werden, sondern können auch zwischen den Systemen transferiert werden, ohne das TEM-Grid berühren zu müssen.
REM | FIB | |
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Quelle | In-Lens-Schottky-FEG | Gallium |
Auflösung | 0,7 nm (15 kV) | 3 nm (30 kV) |
Vergrößerung | ×10 bis 1.000.000 (Referenz: Polaroid) | ×50 bis 300.000 (Referenz: Polaroid) |
Beschleunigungsspannung | 0,01 bis 30 kV | 0,5 bis 30 kV |
Strahlstrom | 1pA bis ≥ 500 nA | 1pA bis 100 nA |
Probenbühne |
X, Y: 130 mm |
Detektorsystem | Hybrid-Everhart-Thornley-Detektor, oberer In-Lens-Detektor, In-Lens-Rückstreuelektronen-Detektor, opt. rückziehbarer Rückstreuelektronen-Detektoren, STEM-Detektoren, Überwachungs- und Navigationskameras und weitere |
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